E-Fuse MX5069 High-Side N_FET-Treiber effizient verwalten Stromverteilung für 24V und 48V Industrie-Systeme
Der High-Side-N_FET-Treiber MX5069 arbeitet mit einem externen MOSFET und fungiert als idealer Diodenrichter, wenn er in Serie mit der Stromversorgung verbunden ist.Dieser Controller ermöglicht es MOSFETs, Diodenrichter in Stromverteilnetzen zu ersetzen, so dass Stromverluste und Spannungsabfälle reduziert werden.Der MX5069-Controller bietet einen Ladungspumpen-Gate-Antrieb für ein externes N-Kanal-MOSFET und einen schnellen Reaktionsvergleicher, um den FET abzuschalten, wenn der Strom umgekehrt fließt.Die Stromgrenze in der externen Serienpass N-Channel.MOSFETs sind programmierbar.Die Eingangs-Unterspannungs- und Überspannungssperrwerte sind durch Widerstandsdividernetze programmierbar.Der MX5069 startet automatisch bei einem festen Arbeitszyklus neu. MX5069 ist in 10-Pin DFN3*3 und MSOP10L-Verpackung erhältlich.
Eigenschaften
* Weiter Betriebsbereich: 5V bis 85V
* Einstellbares Stromlimit
* Funktion des Leistungsschalters bei schweren Überstromvorfällen
* Interne hohe Seitenladung Pumpe und Tor Treiber für externe N-Kanal MOSFET
* 50ns schnelle Reaktion auf Stromumkehr
* Einstellbares Unterspannungssperren (UVLO)
* Einstellbares Überspannungssperren (OVP)
* Aktive niedrige offene Entwässerung POWER GOOD
* Verfügbar mit automatischem Neustart
* 10-Pin DFN3*3-10L und MSOP10 Paket
Anwendungen
* Server-Backplane-Systeme
* Stromverteilsysteme für Basisstationen
* Festkörperschalter
* 24V- und 48V-Industrieanlagen
Bestellinformationen
| Teilnummer |
Beschreibung |
| MX5069D |
DFN3*3-10L |
| MX5069MS |
Die in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1303/2013 aufgeführten Daten sind zu berücksichtigen. |
| MPQ |
3000 Stück |
Verpackungsabbau radas
| Paket |
RθJA (°C/W) |
| DFN3*3-10L |
50 |
| MSOP10 |
156 |
Absolute maximale Nennwerte
| Parameter |
Wert |
| VIN an GND |
-0,3 bis 90 V |
| SENSE, OUT an die GND |
-0,3 bis 90 V |
| GATE zu GND |
-0,3 bis 100 V |
| OUT auf GND (1ms transient) |
-0,3 bis 95 V |
| UVLO an GND |
-0,3 bis 90 V |
| OVP, PGD zu GND |
-0,3 bis 7 V |
| VIN an SENSE |
-0,3 bis 0,3 V |
| ILIM an GND |
-0,3 V bis 3,5 V |
| Höchstverbindungstemperatur, TJMAX |
150°C |
| Lagertemperatur, Tstg |
-65 bis 150°C |
Spannungen, die über die in den absoluten Höchstmengen aufgeführten Spannungen hinausgehen, können dauerhafte Schäden an der Vorrichtung verursachen.
Die Funktionsfähigkeit des Geräts bei beliebigen
Bedingungen, die über die im Abschnitt "Empfohlene Betriebsbedingungen" angegebenen hinausgehen, nicht impliziert ist.
Empfohlene BetriebsbedingungenVerbrennung
| Symbol |
Reichweite |
| Versorgungsspannung |
5 bis 85 V |
| PGD ausgeschaltet |
0 bis 5 V |
| ILIM-Spannung |
2.7V max. |
| Temperatur der Kreuzung |
-40 bis 125 °C |
Terminalzuweisungen
| PIN-Nummer |
PIN-Name |
Beschreibung |
| MSOP 10 |
DFN3*3 |
| 1 |
10 |
SENSE |
Stromempfindereingabe: Die Spannung über den Stromempfinderabwehr (RS) wird von der VIN an diesen Pin gemessen. |
| 2 |
9 |
Fahrzeugnummer |
Positiver Versorgungseingang: Es wird empfohlen, einen kleinen Keramik-Bypass-Kondensator in der Nähe dieses Pins zu installieren, um Transients zu unterdrücken, die bei Ausschalten des Laststroms auftreten. |
| 3 |
1 |
UVLO/Die |
Dies ist ein Dual-Funktion-Steuer-Pin. Wenn es als ENABLE-Pin verwendet wird und nach unten gezogen wird, schaltet es den inneren Pass MOSFET aus.
Als UVLOpin kann es verwendet werden, um verschiedene UVLO-Tripppunkte über einen externen Widerstandsdivider zu programmieren.
|
| 4 |
2 |
OVP |
Überspannungssperre: Ein externer Widerstandsdiverter von der Systemeingabeanspannung setzt die Überspannungssperrschwelle. |
| 5 |
8 |
GND |
Schaltkreis |
| 6 |
3 |
SST |
Ein Kondensator von diesem Pinto GND setzt die Ausgangsspannung und die Schleudrate. |
| 7 |
4 |
ILIM |
Strombegrenzung: Ein externer Widerstand, der an diesen Pin angeschlossen ist und mit einem Stromerkennungswiderstand kombiniert wird, um einen Überstromschutz zu erreichen. |
| 8 |
5 |
PGD |
Leistung Gut Indikator: offene Abflussleistung. |
| 9 |
7 |
Außen |
Ausgangsfeedback: Anschluss an die Ausgangsbahn (externe MOSFET-Quelle). |
| 10 |
6 |
GATE |
Gate-Antriebsausgang: Verbinden Sie sich mit dem externen MOSFET-Gate. Die Spannung dieses Pins beträgt typischerweise 12 V über dem OUT-Pin, wenn aktiviert. |
ElektrotechnikRistika
VIN = 12V, UVLO = 2V, OVP = GND, TJ = 25°C, sofern nicht anders angegeben.
| Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
TYP |
Maximal |
Einheit |
| Input (VIN-PIN) |
| Fahrzeugnummer |
|
|
5 |
|
85 |
V |
| IQON |
Versorgungsstrom |
Aktiviert: EN/UVLO = 2V |
0.50 |
0.70 |
0.9 |
mA |
| IQOFF |
EN/UVLO = 0V |
0.50 |
0.60 |
0.70 |
mA |
| EN/UVLO |
| UVLOR |
UVLO Schwellenspannung |
Aufsteigen |
|
1.57 |
|
V |
| UVLOF |
UVLO Schwellenspannung |
Fallen |
|
1.40 |
|
V |
| IUVLO |
UVLO-Leckstrom |
EN/UVLO = 0V |
|
- Zwei.6 |
|
uA |
| tDUVLO |
UVLO-Verzögerung |
Verzögerung bis GATE hoch |
|
840 |
|
Wir |
| Verzögerung auf GATE niedrig |
|
3.4 |
|
Wir |
| OVP PINS |
| OVPR |
OVP-Schwellenspannung |
Steigende |
|
1.23 |
|
V |
| OVPF |
OVP-Schwellenspannung |
Fallen |
|
1.14 |
|
V |
| tDOVP |
Verzögerung der OVP |
Verzögerung bis GATE hoch |
|
13.8 |
|
μs |
| Verzögerung auf GATE niedrig |
|
4.4 |
|
| IOVP |
OVP-Verschiebungsstrom |
|
0 |
|
2 |
μA |
| OUT-PIN |
| IOUT-EN |
OUT-Verschiebungsstrom aktiviert |
OUT = VIN |
|
10 |
|
μA |
| IOUT-DIS |
OUT Bias-Strom, deaktiviert |
Ausgeschaltet, OUT = 0V, SENSE = VIN |
|
22 |
|
| GATE-KONTROL (GATE-PIN) |
| |
Quellestrom |
Normalbetrieb |
1 |
32 |
40 |
μA |
| IGATE |
Sinkstrom |
UVLO < 1,40 V |
|
0.1 |
|
uA |
| VIN auf SENSE = 150mV |
|
2 |
|
Eine |
| VGATE |
Ausgangsspannung des Tores im normalen Betrieb |
GATE-OUT Spannung |
8 |
10 |
14 |
V |
| VSD (REV) |
Umgekehrter VSD-Schwellenwert VIN < VOUT |
VIN - VOUT |
- 20 |
- 12 |
- Nein. |
mV |
| TSD (REV) |
Schalten Sie das Tor aus. Zeit für Rückfahrt. |
|
|
36 |
|
n |
| Aktuelle Begrenzung |
| IILIM |
ILIM Ladestrom |
|
|
20 |
|
uA |
| KA |
|
|
|
40 |
|
mV/mV |
| SST (SST-PIN) |
| ISST |
SST Ladestrom |
Normalbetrieb |
0 |
2 |
5 |
uA |
| RST |
SST Entladungswiderstand |
|
60 |
75 |
90 |
Ohm |
| VSSTmax |
SST maximale Kondensatorspannung |
|
|
5.2 |
|
V |
| Gewinne |
SST zu GATE-Gewinn |
|
|
33 |
|
V/V |
| PGD |
| VPGD |
Ausgangs-Niedrigspannung |
ISINK = 2mA |
|
140 |
180 |
mV |
| IPGD |
Abgeschalteter Leckstrom |
VPGD = 5V |
0 |
μA |
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